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(信息来源:中科院微电子所) 基于HfO 2 的铁电存储器(FeRAM)由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感,性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响,使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。1T1C铁电阵列中(a)传统操作电压选择方案以及(f)考虑温度效应的操作电压设计方法。(b-e)传统操作电压选择方案将会导致高温下的误读等问题
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